Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SDD, capacidad: 1 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 4.0
NVMe: Si
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC
Encriptación de hardware: Si
Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura: 7150 MB/s
Velocidad de escritura: 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS
Función DevSleep: Si
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo de energía (lectura): 4,3 W
Consumo de energía (escritura): 4,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura): 4,3 W
Consumo eléctrico promedio (escritura): 4,2 W
Consumo de energía (espera): 0,06 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5 mW

Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 2,38 mm
Altura: 80,2 mm
Peso: 9 g

Ancho del paquete: 145 mm
Profundidad del paquete: 100 mm
Altura del paquete: 24 mm
Peso del paquete: 68 g

Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G